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制造商:
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IXYS
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产品种类:
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MOSFET
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RoHS:
|
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技术:
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Si
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安装风格:
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Through Hole
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封装 / 箱体:
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TO-247-3
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晶体管极性:
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N-Channel
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通道数量:
|
1 Channel
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Vds-漏源极击穿电压:
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250 V
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Id-连续漏极电流:
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110 A
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Rds On-漏源导通电阻:
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24 mOhms
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Vgs - 栅极-源极电压:
|
- 20 V, + 20 V
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Vgs th-栅源极阈值电压:
|
3 V
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Qg-栅极电荷:
|
157 nC
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最小工作温度:
|
- 55 C
|
最大工作温度:
|
+ 175 C
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Pd-功率耗散:
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694 W
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通道模式:
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Enhancement
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商标名:
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系列:
|
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封装:
|
Tube
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商标:
|
IXYS
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配置:
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Single
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产品类型:
|
MOSFET
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工厂包装数量:
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30
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子类别:
|
MOSFETs
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晶体管类型:
|
1 N-Channel
|
单位重量:
|
6 g
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