IXFH12N100P-----IXYS供应原装正品

制造商:

IXYS

产品种类:

MOSFET

RoHS:

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-247-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

1 kV

Id-连续漏极电流:

12 A

Rds On-漏源导通电阻:

1.05 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3.5 V

Qg-栅极电荷:

80 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

463 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

系列:

封装:

Tube

商标:

IXYS

配置:

Single

下降时间:

36 ns

正向跨导 - 最小值:

4.8 S

高度:

21.46 mm

长度:

16.26 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

25 ns

工厂包装数量:

30

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

类型:

Polar HiPerFET Power MOSFET

典型关闭延迟时间:

60 ns

典型接通延迟时间:

30 ns

宽度:

5.3 mm

单位重量:

6 g