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VISHAY/威世 SI4532CDY-T1-GE3 晶体管 封装SOP8 价格优势 支持实单

时间:2023-07-19 17:57发布企业:深圳和润天下电子科技有限公司
联系人:蔡经理,张小姐电话:13378422395Q Q:
制造商: Vishay 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SOIC-8 
晶体管极性: N-Channel, P-Channel 
通道数量: 2 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 30 V 
Id-连续漏极电流: 4.3 A, 6 A 
Rds On-漏源导通电阻: 47 mOhms, 89 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V 
Qg-栅极电荷: 6 nC, 7.8 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 2.78 W 
通道模式: Enhancement 
商标名: TrenchFET 
系列: SI4 
封装: Reel 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
商标: Vishay Semiconductors 
配置: Dual 
下降时间: 6 ns, 7.7 ns 
正向跨导 - 最小值: 7 S 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 12 ns, 13 ns 
2500 
子类别: MOSFETs 
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel 
典型关闭延迟时间: 14 ns, 17 ns 
典型接通延迟时间: 5.5 ns, 7 ns 
零件号别名: SI4532CDY-GE3 
单位重量: 750 mg