Qorvo QPD0005M RF JFET晶体管是单路径分立式GaN on SiC HEMT，采用塑料包覆成型DFN封装。该系列器件是单级、不匹配晶体管，能够在+48V电压下提供5.9W PSAT，该系列晶体管的工作频率范围为2.5GHz至5.0GHz。
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制造商:
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Qorvo
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产品种类:
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
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晶体管类型:
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HEMT
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技术:
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GaN-on-SiC
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输出功率:
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37.7 dBm
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封装 / 箱体:
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4.5 mm x 4 mm
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湿度敏感性:
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Yes
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产品类型:
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RF JFET Transistors
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工作频率:
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2.5 GHz to 5 GHz
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增益:
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18.6 dB
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特性
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工作频率范围：2.5-5.0GHz
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3.6GHz时的最大漏极效率：74.1%
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3.6GHz时的效率-调谐P3dB增益：18.6dB
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4.5mm x 4.0mm DFN封装
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工作漏极电压：+48V
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3.6GHz时的最大输出功率 (PSAT)：37.7dBm
应用
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WCDMA/LTE
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微蜂窝基站
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小型蜂窝
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宏蜂窝基站
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有源天线
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5G大规模MIMO
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通用型应用