IPB65R150CFD 英飞凌 MOSFET

产品属性

属性值

制造商:

Infineon

产品种类:

MOSFET

RoHS:

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

TO-263-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

650 V

Id-连续漏极电流:

22.4 A

Rds On-漏源导通电阻:

135 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3.5 V

Qg-栅极电荷:

86 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

195.3 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

系列:

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

Infineon Technologies

配置:

Single

下降时间:

5.6 ns

高度:

4.4 mm

长度:

10 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

7.6 ns

工厂包装数量:

1000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

52.8 ns

典型接通延迟时间:

12.4 ns

宽度:

9.25 mm

零件号别名:

IPB65R150CFDATMA1 SP000907034 IPB65R150CFDATMA1

单位重量:

4 g