产品属性
属性值
制造商:
Infineon
产品种类:
IGBT 晶体管
RoHS:
技术:
Si
封装 / 箱体:
TO-247-3
安装风格:
Through Hole
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
650 V
集电极—射极饱和电压:
1.35 V
栅极/发射极最大电压:
- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:
79 A
Pd-功率耗散:
230 W
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 175 C
系列:
封装:
Tube
商标:
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:
100 nA
高度:
20.7 mm
长度:
15.87 mm
工作温度范围:
- 40 C to + 175 C
产品类型:
IGBT Transistors
工厂包装数量:
240
子类别:
IGBTs
商标名:
宽度:
5.31 mm
零件号别名:
SP001319680 IKW40N65ES5XKSA1
单位重量:
38 g