NCV57001DWR2G 电流隔离式栅极驱动器 IGBT gate driver

产品属性

属性值

制造商:

onsemi

产品种类:

电流隔离式栅极驱动器

RoHS:

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOIC-16

配置:

Inverting, Non-Inverting

激励器数量:

1 Driver

输出端数量:

1 Output

输出电流:

4 A

电源电压-最小:

3.3 V

电源电压-最大:

5 V

上升时间:

10 ns

下降时间:

15 ns

最小工作温度:

- 40 C

最大工作温度:

+ 125 C

资格:

AEC-Q100

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

onsemi

最大关闭延迟时间:

90 ns

最大开启延迟时间:

90 ns

工作电源电流:

4.8 mA

Pd-功率耗散:

1.4 W

产品:

IGBT, MOSFET Gate Drivers

产品类型:

Galvanically Isolated Gate Drivers

传播延迟—最大值:

90 ns

工厂包装数量:

1000

子类别:

PMIC - Power Management ICs