介绍
新的Vishay Siliconix芯片fet的无引线1206-8
封装具有与流行的1206-8电阻器相同的轮廓
而电容器却能提供真正电力的所有性能
半导体器件。1206-8 ChipFET具有相同的功能
脚印作为身体的小脚 TSOP-6,并且可以
为了可视化起见,可以将其视为无引线TSOP-6
板面积大,但其热工性能值得比较
使用更大的SO-8。
本技术笔记讨论双芯片场效应管1206-8
引脚,封装轮廓,衬垫图案,评估板
布局和热性能。
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产品属性
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属性值
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制造商:
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Vishay
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产品种类:
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MOSFET
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RoHS:
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REACH - SVHC:
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详细信息
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技术:
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Si
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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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ChipFET-8
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晶体管极性:
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P-Channel
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通道数量:
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2 Channel
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Vds-漏源极击穿电压:
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20 V
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Id-连续漏极电流:
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4 A
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Rds On-漏源导通电阻:
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100 mOhms
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Vgs - 栅极-源极电压:
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- 8 V, + 8 V
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Vgs th-栅源极阈值电压:
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400 mV
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Qg-栅极电荷:
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11 nC
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最小工作温度:
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- 55 C
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最大工作温度:
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+ 150 C
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Pd-功率耗散:
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3.1 W
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通道模式:
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Enhancement
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商标名:
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系列:
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封装:
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Reel
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封装:
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Cut Tape
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商标:
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Vishay Semiconductors
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配置:
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Dual
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下降时间:
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6 ns
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正向跨导 - 最小值:
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9.5 S
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高度:
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1.1 mm
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长度:
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3.05 mm
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产品类型:
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MOSFET
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上升时间:
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32 ns
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工厂包装数量:
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3000
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子类别:
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MOSFETs
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晶体管类型:
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2 P-Channel
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典型关闭延迟时间:
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25 ns
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典型接通延迟时间:
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10 ns
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宽度:
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1.65 mm
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零件号别名:
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SI5935CDC-GE3 SIR814DP-T1-GE3
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单位重量:
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85 mg
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