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SI5935CDC-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

时间:2024-04-28 17:11发布企业:奋钧智能(深圳)科技有限公司
联系人:王小姐电话:15773539469Q Q:

介绍
新的Vishay Siliconix芯片fet的无引线1206-8
封装具有与流行的1206-8电阻器相同的轮廓
而电容器却能提供真正电力的所有性能
半导体器件。1206-8 ChipFET具有相同的功能
脚印作为身体的小脚 TSOP-6,并且可以
为了可视化起见,可以将其视为无引线TSOP-6
板面积大,但其热工性能值得比较
使用更大的SO-8。
本技术笔记讨论双芯片场效应管1206-8
引脚,封装轮廓,衬垫图案,评估板
布局和热性能。

......

详情咨询或产品订购请联系电话:15773539469(王小姐),期待与您合作!

产品属性

属性值

制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 

REACH - SVHC:

详细信息

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

ChipFET-8

晶体管极性:

P-Channel

通道数量:

2 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

20 V

Id-连续漏极电流:

4 A

Rds On-漏源导通电阻:

100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

400 mV

Qg-栅极电荷:

11 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

3.1 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

系列:

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

商标:

Vishay Semiconductors

配置:

Dual

下降时间:

6 ns

正向跨导 - 最小值:

9.5 S

高度:

1.1 mm

长度:

3.05 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

32 ns

工厂包装数量:

3000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

2 P-Channel

典型关闭延迟时间:

25 ns

典型接通延迟时间:

10 ns

宽度:

1.65 mm

零件号别名:

SI5935CDC-GE3 SIR814DP-T1-GE3

单位重量:

85 mg