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LM3481QMMX/NOPB适用于升压、SEPIC 和反激式直流/直流转换器的高效控制器

时间:2024-05-31 10:13发布企业:深圳市华信联科技电子有限公司
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LM3481QMMX/NOPB适用于升压、SEPIC 和反激式直流/直流转换器的高效控制器

 


产品型号:LM3481QMMX/NOPB

产品品牌:TI/德州仪器

产品封装:VSSOP10

产品功能:高效控制器

 


LM3481QMMX/NOPB特性
●符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
器件温度 1 级:-40°C 至 +125°C,TA
●10 引脚 VSSOP 封装
●具备 1A 峰值电流能力的内部推挽驱动器
●电流限值和热关断
●通过电容器和电阻器优化的频率补偿
●内部软启动
●电流模式运行
●具备迟滞的可调节欠压锁定
●轻负载状态下的脉冲跳跃
●主要规格
2.97V 至 48V 的宽电源电压范围
100kHz 至 1MHz 的可调且可同步时钟频率范围
±1.5%(过热)内部基准
10µA 关断电流(过热保护)
●使用 LM3481-Q1 并借助 WEBENCH Power Designer 创建定制设计

 

 


LM3481QMMX/NOPB说明
LM3481QMMX/NOPB是一款适用于开关稳压器的多功能低侧 N-FET 高性能控制器。该器件设计用于升压、SEPIC 和反激式转换器以及需要将低侧 FET 作为初级开关的拓扑。LM3481-Q1 器件可以在很高的开关频率下工作,用于减小整体解决方案尺寸。通过使用单个外部电阻器,或将 LM3481-Q1 器件与外部时钟同步,可将该器件的开关频率调整为 100kHz 到 1MHz 之间的任意值。除了逐周期电流限制外,电流模式控制还可提供卓越的带宽和瞬态响应。可以使用单个外部电阻器对电流限值进行编程。
LM3481QMMX/NOPB 器件具有内置保护功能,例如热关断、短路保护和过压保护。节能关断模式可以将总电源电流降低至 5µA,并支持电源时序控制。内部软启动会限制启动时的浪涌电流。集成电流斜率补偿可简化设计,如果特定应用需要,可以使用单个电阻器来增加该电流斜率补偿。

LM3481QMMX/NOPB器件采用固定频率、脉宽调制 (PWM) 电流模式控制架构。在典型应用电路中,流经外部 MOSFET 的峰值电流通过外部检测电阻进行检测。该电阻器上的电压被馈送到 ISEN 引脚。然后,该电压会进行电平转换并被馈送到 PWM 比较器的正输入端。输出电压也通过外部反馈电阻分压器网络进行检测,并被馈送到误差放大器 (EA) 负输入端(反馈引脚,FB)。误差放大器(COMP 引脚)的输出会添加到斜率补偿斜坡中,然后被馈送到 PWM 比较器的负输入端。
在任何开关周期开始时,振荡器都会使用 SET/消隐和开关逻辑块设置 RS 锁存器。这会在 DR 引脚(外部 MOSFET 的栅极)上强制产生一个高电平信号,并且外部 MOSFET 会导通。当 PWM 比较器正输入端上的电压超过负输入端上的电压时,RS 锁存器会复位并且外部 MOSFET 会关断。
检测电阻上的电压通常包含杂散噪声尖峰,如图 6-1 所示。这些尖峰可以强制 PWM 比较器过早复位 RS 锁存器。为了防止这些尖峰复位锁存器,IC 内部的消隐电路会防止 PWM 比较器在锁存器设置后的短时间内复位锁存器。此持续时间称为消隐时间,通常为 250ns,并在电气特性电气特性电气特性 部分中指定为 tmin (on)。
在极轻负载或空载条件下,当外部 MOSFET 导通时,在消隐时间内提供给输出电容器的能量会大于提供给负载的能量。LM3481QMMX/NOPB内部的过压比较器通过检测反馈(FB 引脚)电压和复位 RS 锁存器,防止输出电压在这些条件下增加。锁存器保持复位状态,直到输出衰减到标称值。因此,在轻负载时工作频率会降低,从而实现出色的效率。

 

封装图