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BSP88L6327HTSA1 Datasheet(PDF)
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制造商: Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制：
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RoHS:
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 240 V
Id-连续漏极电流: 350 mA
Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 3.5 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: GaN FETs
上升时间: 3.5 ns
系列: BSP88
1000
子类别: Transistors
技术: GaN
典型关闭延迟时间: 17.9 ns
典型接通延迟时间: 3.6 ns
零件号别名: SP000089217 BSP88L6327HTSA1
单位重量: 112 mg
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