DDR3 可在需要高速外部存储器的各种应用中实现。DDR3/3L 接口得到大多数领先的片上系统 (SoC) 制造商的支持,例如 Ambarella、、、Microsemi、、、、 和 。ISSI 提供从 1 Gb 到 16 Gb 的各种 DDR3 和 DDR3L DRAM。
DDR3/3L 还因其性能的进步和有用的功能而获得了巨大的吸引力。DDR3 的最大数据速率是 DDR2 的两倍多,但与 DDR2 相比,DDR3 的功耗更低。DDR3 还具有带动态控制和校准输出阻抗缓冲器的可调节片上端接 (ODT)。DDR3 支持 Fly-by 拓扑,允许在电路板上轻松放置多个 DRAM 模块,同时降低潜在的开关噪声。DDR3 可以置于 DLL 禁用模式,以便以低时钟频率访问内存以进行测试或调试,并添加复位输入以提高稳定性。
特性
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电源电压为 1.5 V 或 1.35 V
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提供的密度:1 Gb、2 Gb、4 Gb、8 Gb 和 16 Gb
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提供的数据速率:1,600 Mbps 至 2,133 Mbps(向后兼容较慢的时钟频率)
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双向差分数据选通
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写入命令按字节进行数据屏蔽
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可编程猝发长度:4 或 8
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可编程 CAS 延时
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自动刷新和自刷新模式
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写入均衡
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长期支持
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封装:x16 为 96 焊球 BGA,x8 为 78 焊球 BGA
应用
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电信/网络:
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汽车:
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信息娱乐
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远程信息处理
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安全摄像头
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驾驶员监视系统 (DM)
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工业:
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目标消费者:
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摄像头
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物联网设备
