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2025年Q2全球腕戴出货5020万台，小米登顶！

根据Omdia最新发布的研究报告，2025年第二季度，全球可穿戴腕带设备市场持续高速增长，出货量达5020万台，同比增长13%。强劲的入门级设备需求与高端产品不断升级的健康追踪功能共同推动市场扩张。

Omdia预测，2025年全年市场将实现8%的增长，2026年增速有望进一步提升至9%。

在市场规模方面，2024年全球可穿戴腕带设备市场价值已达366亿美元（约合2611.39亿元人民币），预计到2025年底将首次突破400亿美元大关（约合2853.98亿元人民币）。

Omdia研究经理陈秋帆（Cynthia Chen）指出：“尽管上半年市场竞争激烈、用户换机周期不确定，厂商仍在积极扩展产品线以支撑收入与利润增长。值得注意的是，2025年下半年，智能手表虽仅占出货量的32%，却贡献了高达**69%**的市场价值。如何有效激励用户升级换代，将成为厂商下一阶段的关键战略。”

品牌格局方面，2025年第二季度全球出货量前五大品牌依次为：小米、华为、苹果、三星、Noise（印度本土可穿戴品牌）

这一排名反映出中国品牌在中低端市场的强势布局，以及苹果在高端智能手表领域的持续影响力。

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突破！台积电联合阳明交大、斯坦福攻克SOT-MRAM量产难题

2025年10月14日，中国台湾阳明交通大学（NYCU）联合台积电、国立中兴大学（NCHU）及美国斯坦福大学，在自旋轨道力矩磁阻式随机存取存储器（SOT-MRAM）领域取得重大突破。研究团队成功解决β相钨（β-W）材料在半导体高温制程中的结构失稳问题，显著提升其热稳定性，为SOT-MRAM的大规模量产与先进CMOS集成扫清关键障碍。相关成果已发表于国际顶级期刊《自然·电子学》（Nature Electronics）。

突破核心：超薄钴层“护盾”破解材料瓶颈

SOT-MRAM被视为后摩尔时代极具潜力的非易失性存储技术，兼具高速、低功耗与高耐久性优势。然而，其核心导电层材料β相钨（β-W）在超过300℃时极易转变为非功能性α相，无法承受标准半导体制造流程中的高温工艺（如退火、化学机械抛光），严重制约产业化进程。

由阳明交大助理教授黄彦霖领衔的研究团队提出创新解决方案：在β-W下方引入一层仅几纳米厚的超薄钴（Co）层，作为“结构稳定屏障”。该设计通过界面应力调控与电子结构优化，有效抑制了β-W的相变过程，使其在400℃下可稳定维持10小时，700℃下仍能保持30分钟结构完整性，远超实际产线工艺需求，实现从实验室到晶圆厂的关键跨越。

四项“业界首次”技术验证，树立性能新标杆

基于稳定的材料体系，研究团队完成了全球领先的SOT-MRAM器件集成与性能验证，达成多项“首次”：

全球首颗CMOS集成64Kb SOT-MRAM阵列：通过优化SOT通道层与阻挡层结构，电流-自旋流转换效率提升30%，写入功耗低至0.1pJ/bit；

1纳秒超快写入速度：较上一代STT-MRAM提速10倍，接近SRAM水平，数据保存寿命超过10年；

隧道磁阻率（TMR）达146%：信号强度优于传统STT-MRAM 40%以上，误码率趋近于零，读取可靠性大幅提升；

全温域工业级运行：在**-40℃至125℃**极端环境下仍保持稳定读写性能，满足车规级（AEC-Q100）、数据中心及5G基站等严苛应用需求。

产业化加速：台积电牵头推动先进制程融合

作为项目重要合作方，台积电已启动技术评估与转化流程，计划将此项SOT-MRAM技术整合至先进逻辑制程节点中。相较于现有存储方案，SOT-MRAM具备：

写入速度媲美SRAM（1ns级）

非易失性等同Flash

静态功耗降低90%

在AI与高性能计算场景中，SOT-MRAM有望取代传统DRAM或最后一级缓存（LLC），将数据访问延迟从DDR5的14ns大幅压缩至1ns，系统能效比提升5倍；在移动设备中，待机功耗显著下降，单次充电续航预计延长30%。

市场前景广阔，引领存储技术范式变革

据市场分析机构预测，随着SOT-MRAM等新型非易失存储技术成熟，全球相关市场规模将于2030年突破千亿美元。台积电表示，初期将优先布局高附加值领域，包括：

AI训练加速器

自动驾驶域控制器

5G/6G基站

高可靠工业芯片

未来将逐步扩展至消费电子、物联网及边缘计算等广泛市场。

此次跨国跨产学研协同创新，不仅标志着SOT-MRAM从“技术可行”迈向“量产就绪”，更凸显中国台湾在全球半导体前沿技术竞争中的关键角色，为后摩尔时代存储架构革新注入强劲动力。

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 机构：2025下半年晶圆代工产能趋紧，部分制程酝酿涨价

根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年下半年晶圆代工产能利用率表现优于预期，未如先前担忧进入下行周期。受智能手机旺季备货、IC设计厂回补库存及AI需求持续强劲等多重因素推动，部分晶圆厂第四季度产能利用率甚至将优于第三季度。

原预期电视等消费电子进入备货淡季，可能带动代工产能利用率下滑。但实际情况显示：

IC设计客户因库存水位偏低，纷纷回补库存，并为智能手机、PC新平台积极投片；

AI服务器相关芯片需求旺盛，周边IC持续释放增量订单，甚至排挤消费类芯片产能；

工控芯片库存已回落至健康水平，厂商重启备货，支撑成熟制程需求。

产能与价格动态：

年底前，部分晶圆厂8英寸产能利用率将维持近满载；

BCD、Power等较紧缺制程已出现零星涨价迹象；

个别晶圆厂因受惠于AI驱动的电源管理等需求，客户订单展望强劲，已规划2026年全面上调代工价格，虽幅度未定，但市场涨价氛围已初步形成。

TrendForce指出，尽管当前供应链已暂时脱离库存修正周期，成熟制程价格战趋缓，但展望2026年，全球市场不确定性仍存。消费性电子产品缺乏创新应用、换机周期延长等因素，可能成为未来需求的主要风险，半导体产业能否维持稳定增长，仍有待观察。

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博通全球首发Wi-Fi 8芯片，加速AI时代边缘网络演进

近日，博通（Broadcom）宣布推出业界首个Wi-Fi 8芯片系列，标志着无线连接技术正式迈入AI驱动的新阶段。新产品专为“AI优先”的边缘网络设计，在性能、可靠性、智能化和能效方面实现全面升级。

1、产品布局覆盖全场景应用

BCM6718：面向家庭及运营商级接入点（AP），支持四路Wi-Fi 8射频，集成BroadStream遥测引擎，提升能效约30%。

BCM43840/BCM43820：企业级AP专用，分别支持四路/双路射频，具备AI推理遥测与精准定位功能，峰值功耗降低25%。

BCM43109：面向智能手机、笔记本、平板及车载终端等移动设备，配备双路射频、蓝牙6.0及Thread/Zigbee Pro（802.15.4），支持320MHz信道与增强长距离模式。

所有芯片均符合IEEE 802.11bn标准（即Wi-Fi 8规范），聚焦“超高可靠性”（UHR），确保复杂环境下的稳定连接。

2、核心技术突破

Wi-Fi 8通过多项创新技术，满足AI终端对低延迟、高吞吐与强稳定性的需求：

多AP协同：联合波束成形与空间复用，提升速率并降低延迟；

智能拥塞规避：动态调整子信道与带宽，优化实时资源分配；

扩展覆盖能力：支持长距离传输与分布式资源单元，适用于大型建筑及户外IoT；

无缝漫游：实现跨AP间的毫秒级切换；

增强调制编码（MCS）：在常规信噪比下提供更高吞吐与连接稳定性。

3、内置遥测引擎，赋能AI网络感知

芯片集成硬件加速遥测引擎，可实时采集网络性能、设备行为与环境数据，用于：

提升用户体验质量（QoE）；

强化网络安全与异常行为检测；

支持预测性维护，降低运维成本。

该能力为终端侧AI模型训练与推理提供关键输入，推动“网络即平台”转型。

4、开放IP授权，共建Wi-Fi 8生态

为加速普及，博通将开放Wi-Fi 8知识产权（IP）授权，支持物联网、汽车及移动设备厂商快速集成该技术。此举旨在打造一个开放、可扩展、高能效的AI感知无线生态系统。

博通无线通信部门高级副总裁Mark Gonikberg表示：“Wi-Fi 8是无线网络的根本性跃迁。我们正从‘连接万物’迈向‘智能连接’，为边缘AI提供高性能、低延迟、可预测的网络底座。”

5、展望未来

随着AI从云端向终端延伸，语音交互、高清视频上传、实时云边协同等应用亟需更强大的无线支撑。博通此次率先布局Wi-Fi 8，不仅巩固其在连接技术领域的领导地位，也为下一代智能设备和智慧场景奠定基础。