型号：1N60L-TM3
厂商：VBsemi(台湾微碧)
大小：934.83 Kbytes
页数：共9页
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
型号：1N60L-TM3-T
厂商：UTC[Unisonic Technologies]
大小：143.99 Kbytes
页数：共8页
功能：1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
大小：282.69 Kbytes
页数：共6页
功能：1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
大小：361.67 Kbytes
页数：共7页
功能：N-CHANNEL POWER MOSFET
大小：267.95 Kbytes
功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT
厂商：VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
大小：1083.5 Kbytes
功能：N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET
