型号：2SJ529
厂商：HITACHI[Hitachi Semiconductor]
大小：53.04 Kbytes
页数：共9页
功能：Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
厂商：RENESAS[Renesas Technology Corp]
大小：94.51 Kbytes
功能：Silicon P Channel MOS FET
型号：2SJ529(L)_15
大小：114.08 Kbytes
页数：共11页
型号：2SJ529L
厂商：VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
大小：976.27 Kbytes
页数：共7页
功能：P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET
型号：2SJ529L-E
型号：2SJ529S
厂商：KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]
大小：45.39 Kbytes
页数：共1页
功能：Hight Speed Power Switching
厂商：ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
大小：324.57 Kbytes
页数：共2页
功能：isc P-Channel MOSFET Transistor
大小：988.31 Kbytes
页数：共8页
功能：P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
型号：2SJ529STL
厂商：VBsemi(台湾微碧)
大小：1.40 Mbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W 类型：P沟道
型号：2SJ529STL-E
大小：988.34 Kbytes
