型号：2SK211
厂商：TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
大小：221.35 Kbytes
页数：共5页
功能：N CHANNEL JUNCTION TYPE (FM TUNER, VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS)
大小：714.87 Kbytes
页数：共6页
功能：Silicon N Channel Junction Type FM Tuner Applications
型号：2SK211_07
型号：2SK2110
厂商：NEC[NEC]
大小：58.84 Kbytes
功能：N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
厂商：KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]
大小：46.43 Kbytes
页数：共1页
功能：MOS Field Effect Transistor
厂商：TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]
大小：104.76 Kbytes
功能：Low on-resistance RDS(on)=1.5 MAX High switching speed Drain to source voltage VDSS 100
型号：2SK2110_15
大小：968.37 Kbytes
页数：共3页
功能：N-Channel MOSFET
型号：2SK2110-HF
大小：1033.83 Kbytes
型号：2SK2111
大小：58.32 Kbytes
大小：46.56 Kbytes
大小：104.79 Kbytes
功能：Low on-resistance RDS(on)=0.6 MAX.VGS=4.0V,ID=0.5A High switching speed
型号：2SK2111_15
大小：692.38 Kbytes
型号：2SK2111-HF
大小：1040.89 Kbytes
型号：2SK2112
大小：59.38 Kbytes
大小：46.74 Kbytes
大小：114.13 Kbytes
功能：Low on-resistance RDS(on)=1.2 MAX. VGS=4.0V,ID=0.5A High switching speed
型号：2SK2112_15
大小：972.61 Kbytes
型号：2SK2112-HF
大小：1038.89 Kbytes
型号：2SK2114
厂商：RENESAS[Renesas Technology Corp]
大小：82.8 Kbytes
页数：共7页
功能：Silicon N Channel MOS FET
厂商：ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
大小：60.25 Kbytes
页数：共2页
功能：Fast Switching Speed
型号：2SK2115
大小：60.07 Kbytes
功能：High speed power switching
型号：2SK2116
厂商：VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
大小：1106.21 Kbytes
页数：共10页
功能：N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET
厂商：HITACHI[Hitachi Semiconductor]
大小：33.94 Kbytes
功能：Silicon N-Channel MOS FET
大小：60.27 Kbytes
型号：2SK2117
型号：2SK2118
大小：29.6 Kbytes
大小：60.31 Kbytes
型号：2SK2119
大小：296.18 Kbytes
功能：isc N-Channel MOSFET Transistor
型号：2SK211-GR
厂商：TOSHIBA(东芝)
大小：223.61 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10mA 漏源电压（Vdss）：18V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道
