型号：2SK215
厂商：HITACHI[Hitachi Semiconductor]
大小：33.8 Kbytes
页数：共6页
功能：Silicon N-Channel MOS FET
厂商：RENESAS[Renesas Technology Corp]
大小：65.36 Kbytes
功能：Silicon N Channel MOS FET
型号：2SK2150
厂商：ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
大小：70.5 Kbytes
页数：共2页
功能：Fast Switching Speed
厂商：TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
大小：486.16 Kbytes
页数：共5页
功能：SILICON N CHANNEL MOS TYPE
型号：2SK2151
厂商：SANYO[Sanyo Semicon Device]
大小：84.37 Kbytes
页数：共3页
功能：Very High-Speed Switching Applications
型号：2SK2152
大小：82.3 Kbytes
型号：2SK2154
大小：81.86 Kbytes
厂商：VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
大小：959.95 Kbytes
页数：共8页
功能：N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
型号：2SK2154-TL-E
大小：1464.22 Kbytes
功能：N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET
型号：2SK2157
厂商：NEC[NEC]
大小：60.45 Kbytes
功能：N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
型号：2SK2157C
大小：221.58 Kbytes
功能：N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING
型号：2SK2157C-T1-AY
型号：2SK2157C-T1-AZ
型号：2SK2158
大小：60.48 Kbytes
厂商：KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]
大小：45.93 Kbytes
页数：共1页
功能：MOS Field Effect Transistor
厂商：TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]
大小：103.61 Kbytes
功能：Capable of drive gate with 1.5 V Because of high input impedance, there is no need
厂商：SKTECHNOLGY[SHIKE Electronics]
大小：1526.59 Kbytes
功能：DC/DC CONVERTERS
厂商：SKTECHNOLGY[SHIKUES Electronics]
大小：1785.09 Kbytes
功能：super highdense cell design for extremely low RDS
型号：2SK2158-T1B
厂商：VBsemi(台湾微碧)
大小：1.24 Mbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：250mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.3Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道
型号：2SK2158-T1B-A
大小：1003.98 Kbytes
功能：N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
型号：2SK2159
大小：62.31 Kbytes
大小：47.57 Kbytes
大小：114.66 Kbytes
功能：Capable of drive gate with 1.5 V Small RDS(on) RDS(on) = 0.7 MAX.VGS = 1.5 V, ID = 0.1 A
大小：1020.17 Kbytes
型号：2SK2159_15
大小：1045.08 Kbytes
功能：N-Channel MOSFET
型号：2SK2159-HF
大小：1085.78 Kbytes
型号：2SK215-E
