型号:AFN4172WSS8
厂商:VBsemi(台湾微碧)
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页数:共9页
功能:连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W 类型:N沟道
型号:AFN4172WSS8RG
厂商:VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
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功能:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET