型号：AM2358N
厂商：TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]
大小：518.42 Kbytes
页数：共2页
功能：Low rDS(on) trench technology
厂商：ANALOGPOWER[Analog Power]
大小：335.62 Kbytes
页数：共5页
功能：N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
型号：AM2358NE
大小：172.4 Kbytes
页数：共3页
功能：N-Channel 60V (D-S) MOSFET
型号：AM2358NE-T1-PF
厂商：VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
大小：1874.87 Kbytes
页数：共9页
型号：AM2358N-T1
厂商：VBsemi(台湾微碧)
大小：1.24 Mbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.09W 类型：N沟道
型号：AM2358N-T1-PF
大小：1034.44 Kbytes
