型号：AM4930N-T1
厂商：VBsemi(台湾微碧)
大小：837.55 Kbytes
页数：共9页
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.78W 类型：双N沟道
型号：AM4930N-T1-PF
厂商：VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
大小：1863.66 Kbytes
功能：Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
