型号：BSC019N04NS
厂商：VBsemi(台湾微碧)
大小：3.41 Mbytes
页数：共8页
功能：
型号：BSC019N04NS G
厂商：Infineon(英飞凌)
大小：377.99 Kbytes
页数：共10页
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 85uA 漏源导通电阻：1.9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
型号：BSC019N04NSG
厂商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
大小：387.84 Kbytes
功能：OptiMOSâ¢3 Power-Transistor
厂商：VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
大小：1895.77 Kbytes
功能：N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
型号：BSC019N04NSGATMA1
厂商：Infineon Technologies
大小：1.19 Mbytes
页数：共12页
功能：BSC019N04NS - N-CHANNEL POWER MO
