型号：BSP170P
厂商：SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
大小：152.82 Kbytes
页数：共9页
功能：SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated)
厂商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
大小：82.73 Kbytes
页数：共8页
功能：SIPMOS Small-Signal-Transistor
大小：298.3 Kbytes
厂商：VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
大小：953.89 Kbytes
页数：共7页
功能：P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
型号：BSP170P H6327
厂商：Infineon Technologies
大小：569.90 Kbytes
功能：MOSFET P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
厂商：Infineon(英飞凌)
大小：571.17 Kbytes
功能：
型号：BSP170P_09
型号：BSP170PE6327
功能：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
功能：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
型号：BSP170PE6327T
大小：576.79 Kbytes
功能：SIPMOS® Small-Signal-Transistor
型号：BSP170PH6327
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：P沟道
型号：BSP170PH6327XTSA1
型号：BSP170P-L6327
型号：BSP170PL6327HTSA1
功能：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
