型号：BSP30
厂商：STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
大小：73.15 Kbytes
页数：共4页
功能：MEDIUM POWER AMPLIFIER
厂商：DIOTEC[Diotec Semiconductor]
大小：174.92 Kbytes
页数：共2页
功能：Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
型号：BSP300
厂商：SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
大小：98.08 Kbytes
页数：共8页
功能：SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche rated)
厂商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
大小：114.28 Kbytes
功能：SIPMOS Small-Signal Transistor
大小：319.55 Kbytes
页数：共9页
型号：BSP300 E6327
厂商：Infineon Technologies
大小：329.45 Kbytes
功能：MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
型号：BSP300 H6327
大小：390.59 Kbytes
功能：MOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
型号：BSP300_08
型号：BSP300H6327XUSA1
大小：390.14 Kbytes
功能：MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
厂商：Infineon(英飞凌)
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190mA 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：20Ω @ 190mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道
型号：BSP300L6327HUSA1
型号：BSP304
厂商：PHILIPS[NXP Semiconductors]
大小：75.87 Kbytes
功能：P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors
型号：BSP304A
型号：BSP304A,126
厂商：NXP USA Inc.
大小：54.35 Kbytes
功能：MOSFET P-CH 300V 170MA TO92-3
