型号：BSS8402DW
厂商：DIODES[Diodes Incorporated]
大小：138.16 Kbytes
页数：共5页
功能：COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
大小：570.16 Kbytes
厂商：PANJIT[Pan Jit International Inc.]
大小：128.95 Kbytes
页数：共8页
功能：COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS
大小：179.91 Kbytes
厂商：LUGUANG[Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd]
大小：882.07 Kbytes
页数：共6页
功能：Complementary Pair Enhancement Mode Field Effect Transistor
厂商：HMSEMI[Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
大小：315.92 Kbytes
型号：BSS8402DW_08
型号：BSS8402DW_1
型号：BSS8402DW_14
大小：276.31 Kbytes
型号：BSS8402DW_15
大小：256.18 Kbytes
页数：共7页
功能：COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：BSS8402DW_R1_00001
厂商：PANJIT(强茂)
大小：423.38 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA(Tj),130mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：60V,50V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA,2V @ 1mA 漏源导通电阻：7Ω @ 500mA,10V;10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW(Tj) 类型：N沟道和P沟道
型号：BSS8402DW-13-F
型号：BSS8402DW-7
型号：BSS8402DW-7-F
型号：BSS8402DW-7-G
厂商：Diodes Incorporated
大小：501.49 Kbytes
功能：MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 60V，50V 115mA（Ta），130mA（Ta） 200mW（Ta） 表面贴装型 SOT-363
型号：BSS8402DWQ-13
型号：BSS8402DWQ-7
型号：BSS8402DWT/R13
型号：BSS8402DWT/R13-R
型号：BSS8402DWT/R7
型号：BSS8402DWT/R7-R
型号：BSS8402DW-TP
厂商：Micro Commercial Co
大小：970.83 Kbytes
功能：MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V，50V 115mA，130mA 200mW 表面贴装型 SOT-363
