型号：DMN100
厂商：DIODES[Diodes Incorporated]
大小：63.86 Kbytes
页数：共3页
功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
大小：86.02 Kbytes
大小：154.39 Kbytes
页数：共4页
厂商：TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]
大小：142.57 Kbytes
页数：共2页
功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET ESD Protected Gate
厂商：ZPSEMI[ZP Semiconductor]
大小：159.99 Kbytes
功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：DMN100_0711
型号：DMN100_1
型号：DMN100_15
大小：106.07 Kbytes
型号：DMN1001UCA10-7
厂商：Diodes Incorporated
大小：529.54 Kbytes
页数：共7页
功能：MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 12V 20A（Ta） 1W 表面贴装型 X2-TSN1820-10
型号：DMN1002UCA6
大小：478.69 Kbytes
型号：DMN1002UCA6-7
型号：DMN1003UCA6
大小：490.94 Kbytes
型号：DMN1003UCA6-7
型号：DMN1004UFDF
大小：493.41 Kbytes
功能：12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：DMN1004UFDF-13
型号：DMN1004UFDF-7
型号：DMN1004UFV
大小：375.17 Kbytes
型号：DMN1004UFV-13
型号：DMN1004UFV-7
型号：DMN1006UCA6
大小：482.68 Kbytes
型号：DMN1006UCA6-7
型号：DMN1006UCA6-7-01
厂商：DIODES(美台)
大小：410.10 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：双N沟道
型号：DMN100-7
型号：DMN100-7-F
型号：DMN1008UFDF
大小：573.61 Kbytes
型号：DMN1008UFDF-13
型号：DMN1008UFDF-7
型号：DMN1008UFDFQ-13
大小：543.73 Kbytes
功能：表面贴装型 N 通道 12 V 12.2A（Ta） 700mW U-DFN2020-6（F 类）
