型号：DMN2016UTS
厂商：DIODES[Diodes Incorporated]
大小：173.63 Kbytes
页数：共6页
功能：DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：DMN2016UTS-13
厂商：Diodes Incorporated
大小：166.96 Kbytes
功能：MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
大小：168.94 Kbytes
功能：MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
厂商：DIODES(美台)
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.58A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：14.5mΩ @ 9.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：880mW 类型：双N沟道
厂商：Diodes Inc
功能：Dual N-Channel Enhancement MOSFET TSSOP8
