型号：DMN2300U
厂商：TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]
大小：200.73 Kbytes
页数：共3页
功能：20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 ESD Protected Gate 2kV
厂商：DIODES[Diodes Incorporated]
大小：157.1 Kbytes
页数：共7页
功能：Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
厂商：ZPSEMI[ZP Semiconductor]
大小：229.43 Kbytes
功能：20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23
型号：DMN2300U_15
型号：DMN2300U-7
型号：DMN2300UFB
大小：148.89 Kbytes
页数：共6页
功能：20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：DMN2300UFB_15
大小：423.52 Kbytes
页数：共8页
型号：DMN2300UFB4
大小：146.46 Kbytes
型号：DMN2300UFB4_15
大小：170.65 Kbytes
型号：DMN2300UFB4-7B
型号：DMN2300UFB4-7B-55
厂商：Diodes Inc
大小：447.66 Kbytes
功能：Transistor MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
型号：DMN2300UFB-7
型号：DMN2300UFB-7B
型号：DMN2300UFD
大小：280.94 Kbytes
型号：DMN2300UFD_15
型号：DMN2300UFD-7
型号：DMN2300UFD-7-81
厂商：DIODES(美台)
大小：275.42 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.73A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 900mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：960mW 类型：N沟道
型号：DMN2300UFL4
大小：236.0 Kbytes
功能：Ultra-Small Surface Mount Package
大小：467.66 Kbytes
功能：20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：DMN2300UFL4_15
型号：DMN2300UFL4_17
型号：DMN2300UFL4-7
型号：DMN2300UFL4Q-7
厂商：Diodes Incorporated
大小：571.79 Kbytes
功能：MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 2.11A（Ta） 530mW（Ta） 表面贴装型 X2-DFN1310-6
