型号:DMN30H4D0L
厂商:DIODES[Diodes Incorporated]
大小:383.23 Kbytes
页数:共6页
功能:Low Gate Threshold Voltage
型号:DMN30H4D0L_15
功能:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号:DMN30H4D0L-13
型号:DMN30H4D0L-7
型号:DMN30H4D0LFDE-13
厂商:Diodes Incorporated
大小:386.34 Kbytes
功能:MOSFET N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
大小:390.79 Kbytes
功能:MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
型号:DMN30H4D0LFDE-7
厂商:DIODES(美台)
功能:连续漏极电流(Id)(25°C 时):550mA 漏源电压(Vdss):300V 栅源极阈值电压:2.8V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):630mW 类型:N沟道