型号：DMN30H4D0L
厂商：DIODES[Diodes Incorporated]
大小：383.23 Kbytes
页数：共6页
功能：Low Gate Threshold Voltage
型号：DMN30H4D0L_15
功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：DMN30H4D0L-13
型号：DMN30H4D0L-7
型号：DMN30H4D0LFDE-13
厂商：Diodes Incorporated
大小：386.34 Kbytes
功能：MOSFET N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
大小：390.79 Kbytes
功能：MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
型号：DMN30H4D0LFDE-7
厂商：DIODES(美台)
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：550mA 漏源电压（Vdss）：300V 栅源极阈值电压：2.8V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：630mW 类型：N沟道
