型号：DMN4800LSS
厂商：DIODES[Diodes Incorporated]
大小：165.62 Kbytes
页数：共6页
功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：DMN4800LSS-13
型号：DMN4800LSSL
大小：145.18 Kbytes
型号：DMN4800LSSL_15
大小：223.57 Kbytes
型号：DMN4800LSSL-13
厂商：Diodes Incorporated
大小：218.33 Kbytes
功能：MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K
大小：357.94 Kbytes
页数：共7页
功能：MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
厂商：DIODES(美台)
大小：217.96 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.6V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.46W 类型：N沟道
厂商：Diodes Inc
功能：N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOIC8
型号：DMN4800LSSQ
大小：331.73 Kbytes
型号：DMN4800LSSQ-13
大小：288.28 Kbytes
功能：MOSFET 30V N-Ch Enh FET 25Vgs 9A 16mOhm 1.6V
大小：326.79 Kbytes
功能：MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.6V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.46W 类型：N沟道
