型号:DMN63D8LW-13
厂商:Diodes Incorporated
大小:437.46 Kbytes
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功能:MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
大小:455.91 Kbytes
功能:MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
厂商:DIODES(美台)
功能:连续漏极电流(Id)(25°C 时):380mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 250mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道