型号：DMN65D8LFB-7B

厂商：DIODES[Diodes Incorporated]

大小：334.35 Kbytes

页数：共6页

功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

型号：DMN65D8LFB-7B

厂商：DIODES[Diodes Incorporated]

大小：334.35 Kbytes

页数：共6页

功能：N-Channel MOSFET

型号：DMN65D8LFb-7B

厂商：DIODES(美台)

大小：257.59 Kbytes

页数：共6页

功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：260mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 115mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：430mW 类型：N沟道