型号：DMT
厂商：CDE[Cornell Dubilier Electronics]
大小：195.32 Kbytes
页数：共3页
功能：Type DMT, Polyester Film Capacitors
型号：DMT_13
厂商：COILCRAFT[Coilcraft lnc.]
大小：312.08 Kbytes
页数：共2页
功能：Output Power Chokes â Toroid Styles
型号：DMT_18
型号：DMT10-2-1111
厂商：SICK[SICK AG]
大小：715.91 Kbytes
页数：共7页
功能：LONG RANGE DISTANCE SENSORS
型号：DMT10-2-1113
大小：715.9 Kbytes
型号：DMT10-2-1211
大小：601.67 Kbytes
型号：DMT10-2-1213
大小：601.63 Kbytes
型号：DMT10-2-2111
大小：715.93 Kbytes
型号：DMT10-2-2211
大小：601.68 Kbytes
型号：DMT10H003SPSW-13
厂商：Diodes Incorporated
大小：704.33 Kbytes
功能：表面贴装型 N 通道 100 V 152A（Tc） 2.2W（Ta），139W（Tc） Accelerometer，3 Axis，Impact
型号：DMT10H009LCG-7
大小：500.87 Kbytes
功能：MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333
厂商：DIODES(美台)
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道
型号：DMT10H009LFG-13
大小：475.77 Kbytes
功能：MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
型号：DMT10H009LFG-7
型号：DMT10H009LH3
大小：369.49 Kbytes
页数：共6页
功能：MOSFET N-CH 100V 84A TO251
型号：DMT10H009LK3-13
大小：541.29 Kbytes
功能：表面贴装型 N 通道 100 V 90A（Tc） 1.7W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：DMT10H009LPS-13
大小：455.58 Kbytes
页数：共8页
功能：MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
型号：DMT10H009LSS-13
大小：323.43 Kbytes
功能：MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
型号：DMT10H009SCG-13
大小：492.55 Kbytes
功能：表面贴装型 N 通道 100 V 14A（Ta），48A（Tc） 1.3W（Ta） V-DFN3333-8（B 类）
型号：DMT10H009SCG-7
型号：DMT10H009SK3-13
大小：582.11 Kbytes
功能：表面贴装型 N 通道 100 V 91A（Tc） 1.7W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：DMT10H009SPS-13
大小：515.9 Kbytes
型号：DMT10H009SSS-13
大小：358.44 Kbytes
功能：MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
型号：DMT10H010LCT
厂商：DIODES[Diodes Incorporated]
大小：463.61 Kbytes
功能：100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：DMT10H010LCT_18
型号：DMT10H010LK3
大小：487.64 Kbytes
型号：DMT10H010LK3-13
型号：DMT10H010LPS
大小：465.2 Kbytes
功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：DMT10H010LPS_18
型号：DMT10H010LPS-13
大小：438.37 Kbytes
功能：MOSFET 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
