型号：DMT3009LDT-7
厂商：Diodes Incorporated
大小：432.15 Kbytes
页数：共8页
功能：MOSFET MOSFET BVDSS
大小：445.69 Kbytes
功能：MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
厂商：DIODES(美台)
大小：448.86 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11.1mΩ @ 14.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：双N沟道(半桥)
