型号：DMT4N65
厂商：迪一
大小：4.37 Mbytes
页数：共10页
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：106W(Tc) 类型：N沟道
型号：DMT4N65-TU
厂商：DYELEC[DIYI Electronic Technology Co., Ltd.]
大小：2826.24 Kbytes
功能：650V N-Channel Power MOSFET
