型号：DMTH6004SK3

厂商：DIODES[Diodes Incorporated]

大小：637.63 Kbytes

页数：共7页

功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

型号：DMTH6004SK3-13

厂商：Diodes Incorporated

大小：581.3 Kbytes

页数：共7页

功能：MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

型号：DMTH6004SK3-13

厂商：Diodes Incorporated

大小：632.2 Kbytes

页数：共7页

功能：MOSFET N-CH 60V 100A TO252

型号：DMTH6004SK3-13

厂商：DIODES(美台)

大小：632.2 Kbytes

页数：共7页

功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8mΩ @ 90A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.9W(Ta),180W(Tc) 类型：N沟道

型号：DMTH6004SK3Q

厂商：DIODES[Diodes Incorporated]

大小：659.71 Kbytes

页数：共7页

功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

型号：DMTH6004SK3Q-13

厂商：Diodes Incorporated

大小：587.51 Kbytes

页数：共7页

功能：MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

型号：DMTH6004SK3Q-13

厂商：Diodes Incorporated

大小：601.53 Kbytes

页数：共7页

功能：MOSFET N-CH 60V 100A TO252

型号：DMTH6004SK3Q-13

厂商：DIODES(美台)

大小：601.53 Kbytes

页数：共7页

功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8mΩ @ 90A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.9W(Ta),180W(Tc) 类型：N沟道