型号：DMTH6005LK3

厂商：DIODES[Diodes Incorporated]

大小：418.59 Kbytes

页数：共7页

功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

型号：DMTH6005LK3-13

厂商：Diodes Incorporated

大小：344.25 Kbytes

页数：共7页

功能：MOSFET MOSFET BVDSS:

型号：DMTH6005LK3-13

厂商：Diodes Incorporated

大小：417.5 Kbytes

页数：共7页

功能：MOSFET 60V 90A DPAK

型号：DMTH6005LK3Q

厂商：DIODES[Diodes Incorporated]

大小：400.74 Kbytes

页数：共7页

功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

型号：DMTH6005LK3Q-13

厂商：Diodes Incorporated

大小：326.36 Kbytes

页数：共7页

功能：MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

型号：DMTH6005LK3Q-13

厂商：Diodes Incorporated

大小：548.96 Kbytes

页数：共7页

功能：MOSFET NCH 60V 90A TO252

型号：DMTH6005LK3Q-13

厂商：DIODES(美台)

大小：395.10 Kbytes

页数：共7页

功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：5.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道