型号：EFC4612R
厂商：ONSEMI[ON Semiconductor]
大小：290.39 Kbytes
页数：共8页
功能：N-Channel Power MOSFET
厂商：SANYO[Sanyo Semicon Device]
大小：272.33 Kbytes
页数：共5页
功能：N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
大小：272.39 Kbytes
功能：General-Purpose Switching Device Applications
大小：391.62 Kbytes
型号：EFC4612R_10
型号：EFC4612R_12
型号：EFC4612R-S-TR
厂商：ON(安森美)
大小：762.47 Kbytes
页数：共7页
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：- 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：45mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.6W 类型：双N沟道(共漏)
型号：EFC4612R-TR
大小：209.36 Kbytes
型号：EFC4612R-W-TR
厂商：ON Semiconductor
大小：399.39 Kbytes
页数：共1页
功能：MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIE
