型号：FQA9N90
厂商：FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
大小：679.15 Kbytes
页数：共8页
功能：900V N-Channel MOSFET
大小：814.06 Kbytes
型号：FQA9N90_07
型号：FQA9N90_F109
型号：FQA9N90C
大小：680.52 Kbytes
大小：798.35 Kbytes
页数：共9页
大小：804.61 Kbytes
厂商：THINKISEMI[Thinki Semiconductor Co., Ltd.]
大小：2270.04 Kbytes
页数：共7页
功能：ThinkiSemi 9.0A,900V Planar N-Channel Power MOSFETs
型号：FQA9N90C_06
型号：FQA9N90C_07
型号：FQA9N90C_F109
型号：FQA9N90C-F109
厂商：ON Semiconductor / Fairchild
大小：2.93 Mbytes
页数：共11页
功能：MOSFET 900V N-Channel QFET
厂商：ON Semiconductor
大小：1.93 Mbytes
功能：MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
功能：MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
厂商：ON(安森美)
大小：2.86 Mbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W 类型：N沟道
型号：FQA9N90-F109
大小：2.87 Mbytes
大小：1.99 Mbytes
功能：MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P
厂商：Fairchild Semiconductor
功能：POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
