型号：FQD13N10
厂商：FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
大小：1376.59 Kbytes
页数：共9页
功能：N-Channel QFET MOSFET
大小：867.56 Kbytes
页数：共8页
大小：619.06 Kbytes
功能：100V N-Channel MOSFET
型号：FQD13N10_09
大小：720.02 Kbytes
型号：FQD13N10_13
型号：FQD13N10L
大小：548.81 Kbytes
功能：100V LOGIC N-Channel MOSFET
大小：998.7 Kbytes
厂商：VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
大小：1010.52 Kbytes
页数：共7页
功能：N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
型号：FQD13N10LTF
大小：1010.5 Kbytes
型号：FQD13N10LTM
厂商：ON Semiconductor / Fairchild
大小：1.38 Mbytes
页数：共12页
功能：MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
厂商：ON Semiconductor
页数：共11页
功能：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
厂商：ON(安森美)
大小：1.20 Mbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
型号：FQD13N10LTM_NBEL001
大小：1.19 Mbytes
型号：FQD13N10TF
大小：412.2 Kbytes
页数：共2页
功能：D-PAK Tape and Reel Data
型号：FQD13N10TM
大小：985.62 Kbytes
大小：989.20 Kbytes
页数：共10页
大小：984.16 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道
