型号：IPD60R360P7ATMA1
厂商：Infineon Technologies
大小：1.13 Mbytes
页数：共14页
功能：MOSFET
功能：MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
厂商：Infineon(英飞凌)
大小：1.75 Mbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 140uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W(Tc) 类型：N沟道
