型号：IPL60R650P6SATMA1
厂商：Infineon Technologies
大小：1.29 Mbytes
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功能：MOSFET N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
大小：1.35 Mbytes
功能：MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
厂商：Infineon(英飞凌)
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 200uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 2.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：56.8W(Tc) 类型：N沟道
