型号：IRF101
厂商：FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
大小：146.34 Kbytes
页数：共5页
功能：N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
型号：IRF1010
厂商：NELLSEMI[Nell Semiconductor Co., Ltd]
大小：632.22 Kbytes
页数：共7页
功能：N-Channel Power MOSFET
型号：IRF1010E
厂商：IRF[International Rectifier]
大小：195.51 Kbytes
页数：共8页
功能：Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84Aâ¦
厂商：ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
大小：338.48 Kbytes
页数：共2页
功能：N-Channel MOSFET Transistor
型号：IRF1010EL
大小：123.94 Kbytes
页数：共10页
功能：Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84Aâ¦)
型号：IRF1010ELPBF
大小：218.72 Kbytes
功能：HEXFET Power MOSFET
型号：IRF1010EPBF
大小：231.86 Kbytes
功能：HEXFET® Power MOSFET
厂商：KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]
大小：3121.53 Kbytes
功能：Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
型号：IRF1010ES
大小：263.33 Kbytes
功能：isc N-Channel MOSFET Transistor
型号：IRF1010ESPBF
型号：IRF1010ESTRLPBF
厂商：Infineon / IR
大小：223.30 Kbytes
页数：共11页
功能：MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
厂商：Infineon Technologies
大小：228.64 Kbytes
页数：共12页
功能：MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
厂商：Infineon(英飞凌)
大小：222.28 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：84A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道
型号：IRF1010ESTRR
型号：IRF1010EZ
大小：285.31 Kbytes
功能：AUTOMOTIVE MOSFET
大小：338.8 Kbytes
型号：IRF1010EZL
型号：IRF1010EZLPBF
大小：413.46 Kbytes
功能：Advanced Process Technology
型号：IRF1010EZPBF
型号：IRF1010EZS
大小：299.58 Kbytes
功能：Isc N-Channel MOSFET Transistor
型号：IRF1010EZSPBF
型号：IRF1010EZSTRLP
型号：IRF1010N
大小：211.92 Kbytes
功能：Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85Aâ¦)
大小：338.85 Kbytes
型号：IRF1010NL
大小：146.82 Kbytes
功能：Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85Aâ¦)
