型号：ISS55EP06LM
厂商：Infineon(英飞凌)
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页数：共11页
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 11?A 漏源导通电阻：5.5Ω @ 180mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：P沟道
型号：ISS55EP06LMXTSA1
厂商：Infineon Technologies
功能：MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
