型号：PSMN3R0-30YL
厂商：NXP[NXP Semiconductors]
大小：244.96 Kbytes
页数：共14页
功能：N-channel TrenchMOS logic level FET
大小：200.74 Kbytes
页数：共13页
型号：PSMN3R0-30YL,115
厂商：Nexperia
大小：811.53 Kbytes
页数：共15页
功能：MOSFET <=30V N CH TRENCHFET
厂商：Nexperia USA Inc.
大小：823.82 Kbytes
功能：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
厂商：Nexperia(安世)
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.15V @ 1mA 漏源导通电阻：3mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：81W(Tc) 类型：N沟道
型号：PSMN3R0-30YL_09
型号：PSMN3R0-30YLD
厂商：NEXPERIA[Nexperia B.V. All rights reserved]
大小：728.28 Kbytes
功能：N-channel 30 V, 3.0 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
型号：PSMN3R0-30YLD/1X
大小：721.93 Kbytes
功能：DIODE ARRAY SCHOTTKY
型号：PSMN3R0-30YLD_15
厂商：PHILIPS[NXP Semiconductors]
大小：294.09 Kbytes
功能：N-channel 30 V, 3.0 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
型号：PSMN3R0-30YLDX
大小：720.86 Kbytes
功能：MOSFET 30V N-Channel 3.0mOhm
功能：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 1mA 漏源导通电阻：3.1mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：91W(Tc) 类型：N沟道
