型号:STP6N120K3
厂商:STMicroelectronics
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页数:共17页
功能:MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
厂商:ST(意法半导体)
功能:连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):1200V 栅源极阈值电压:5V @ 100uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道