型号：SW6N70
厂商：Samwin (芯派)
大小：2.18 Mbytes
页数：共9页
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21.9W(Tc) 类型：N沟道
型号：SW6N70A
厂商：SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]
大小：593.81 Kbytes
页数：共6页
功能：N-channel Enhanced mode TO-251MOSFET
型号：SW6N70D
大小：630.77 Kbytes
功能：N-channel Enhanced mode TO-220FMOSFET
型号：SW6N70DA
大小：1254.52 Kbytes
页数：共8页
功能：N-channel Enhanced mode
型号：SW6N70DB
大小：751.9 Kbytes
功能：N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-252/TO-251N MOSFET
型号：SW6N70K
大小：862.22 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147.1W(Tc) 类型：N沟道
