型号：TK100E08N1,S1X

厂商：Toshiba

大小：247.69 Kbytes

页数：共9页

功能：MOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A

型号：TK100E08N1,S1X

厂商：Toshiba Semiconductor and Storage

大小：247.30 Kbytes

页数：共9页

功能：MOSFET N-CH 80V 100A TO220

型号：TK100E08N1,S1X

厂商：Toshiba Semiconductor and Storage

大小：247.30 Kbytes

页数：共9页

功能：MOSFET N-CH 80V 100A TO220

型号：TK100E08N1,S1X(S

厂商：TOSHIBA(东芝)

大小：247.18 Kbytes

页数：共9页

功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：3.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 类型：N沟道