型号：TK10A60D(STA4,Q,M)

厂商：Toshiba

大小：266.60 Kbytes

页数：共6页

功能：MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A

型号：TK10A60D(STA4,Q,M)

厂商：Toshiba Semiconductor and Storage

大小：272.23 Kbytes

页数：共6页

功能：MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

型号：TK10A60D(STA4,Q,M)

厂商：Toshiba Semiconductor and Storage

大小：272.23 Kbytes

页数：共6页

功能：MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

型号：TK10A60D(STA4,Q,M)

厂商：TOSHIBA(东芝)

大小：248.70 Kbytes

页数：共6页

功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道