型号：TK32E12N1,S1X
厂商：Toshiba
大小：253.88 Kbytes
页数：共9页
功能：MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC
厂商：Toshiba Semiconductor and Storage
大小：252.72 Kbytes
功能：MOSFET N CH 120V 60A TO-220
厂商：TOSHIBA(东芝)
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 500uA 漏源导通电阻：13.8mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道
型号：TK32E12N1,S1X(S
厂商：TOSHIBA
功能：功率场效应管, MOSFET, N通道, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, 通孔
