型号：TP0610K
厂商：VISHAY[Vishay Siliconix]
大小：47.8 Kbytes
页数：共4页
功能：P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
大小：199.78 Kbytes
大小：213.32 Kbytes
页数：共8页
功能：P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
型号：TP0610K_06
型号：TP0610KL
大小：82.89 Kbytes
型号：TP0610KL-TR1-E3
厂商：Vishay Siliconix
大小：105.19 Kbytes
页数：共6页
功能：MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3
型号：TP0610K-T1
大小：174.57 Kbytes
页数：共7页
功能：MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23
厂商：VBsemi(台湾微碧)
大小：898.25 Kbytes
功能：
型号：TP0610K-T1-E3
厂商：VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]
大小：987.2 Kbytes
型号：TP0610K-T1-GE3
厂商：Vishay / Siliconix
大小：214.61 Kbytes
功能：MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
功能：MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
厂商：VISHAY(威世)
大小：212.19 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：185mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：P沟道
