型号：TPH1R712MD,L1Q
厂商：Toshiba
大小：801.50 Kbytes
页数：共9页
功能：MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
厂商：Toshiba Semiconductor and Storage
功能：MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
厂商：TOSHIBA(东芝)
大小：773.33 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 1mA 漏源导通电阻：1.7mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：P沟道
